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量子阱激光器
夹于宽带隙半导体(如Ga1-xAlxAs)中间的窄带隙半导体(如GaAs)起着载流子(电子和空穴)陷阱的作用。双异质结半导体中,有源层厚度通常为100~200nm,其电性质和光学性质与体材料相同。但是随着有源层厚度的减小,例如达到5~10nm时(仅约7~15倍原子直径),载流子在垂直于有源层方向上的运动受到束缚,即从三维变成二维,使材料的电性质和光学性质产生剧烈的变化。结果,垂直于有源层方向上运动的载流子动能可量子化成分立的能级,这类似于一维势阱的量子力学问题,因而这类激光器叫做量子阱激光器。
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